RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.54 грн |
| 30+ | 166.40 грн |
| 120+ | 162.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N, Power - Max: 214 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 110 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції RGW80TS65GC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW80TS65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RGW80TS65GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGW80TS65GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RGW80TS65GC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)