RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 469.09 грн |
| 30+ | 260.03 грн |
| 120+ | 217.82 грн |
| 510+ | 175.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns, Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 108 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 245 W.
Інші пропозиції RGWS00TS65DGC13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGWS00TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 50A TRNCH |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
| RGWS00TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.


