Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGWS00TS65GC13
RGWS00TS65GC13

RGWS00TS65GC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGWS00TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.55 грн
30+231.90 грн
120+193.50 грн
510+155.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWS00TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns, Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 108 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 245 W.

Інші пропозиції RGWS00TS65GC13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGWS00TS65GC13 RGWS00TS65GC13 ROHM rgws00ts65gc13-e.pdf Description: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13 rgws00ts65gc13-e.pdf
RGWS00TS65GC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.