на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 467.35 грн |
| 10+ | 271.40 грн |
| 100+ | 197.19 грн |
| 600+ | 187.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWS60TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns, Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 51 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції RGWS60TS65DGC13 за ціною від 182.70 грн до 496.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWS60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 156 W |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|