RGWS60TS65GC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.88 грн |
| 30+ | 121.63 грн |
| 120+ | 100.08 грн |
| 510+ | 79.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWS60TS65GC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns, Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 51 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції RGWS60TS65GC13 за ціною від 124.89 грн до 209.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWS60TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 51A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGWS60TS65GC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| RGWS60TS65GC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 178.80 грн |
| 10+ | 140.14 грн |
| 100+ | 137.72 грн |
| 500+ | 124.89 грн |
| RGWS60TS65GC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.40 грн |
| 10+ | 161.95 грн |