RGWS80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.66 грн |
| 30+ | 199.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWS80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns, Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 83 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 71 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 202 W.
Інші пропозиції RGWS80TS65DGC13 за ціною від 206.23 грн до 388.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWS80TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|