RGWS80TS65GC13

RGWS80TS65GC13 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGWS80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.72 грн
30+247.85 грн
120+206.53 грн
510+165.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWS80TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns, Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 83 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 71 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 202 W.

Інші пропозиції RGWS80TS65GC13 за ціною від 177.61 грн до 495.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGWS80TS65GC13 RGWS80TS65GC13 Виробник : ROHM datasheet?p=RGWS80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.21 грн
10+280.74 грн
100+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13 RGWS80TS65GC13 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGWS80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.76 грн
10+413.56 грн
25+246.59 грн
100+205.49 грн
250+177.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.