Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGWSX2TS65GC13
RGWSX2TS65GC13

RGWSX2TS65GC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGWSX2TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO-247G
Power - Max: 288 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+461.07 грн
30+254.63 грн
120+213.04 грн
510+171.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWSX2TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO-247G, Power - Max: 288 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 104 A, Gate Charge: 140 nC, Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGWSX2TS65GC13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGWSX2TS65GC13 RGWSX2TS65GC13 ROHM datasheet?p=RGWSX2TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13 datasheet?p=RGWSX2TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWSX2TS65GC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.