RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 679.53 грн |
| 30+ | 385.24 грн |
| 120+ | 326.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns, Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 213 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 132 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції RGWX5TS65DGC11 за ціною від 312.28 грн до 736.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGWX5TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 870 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RGWX5TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 870 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 736.32 грн |
| 10+ | 427.24 грн |
| 100+ | 315.20 грн |
| 450+ | 312.28 грн |


