RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 450.22 грн |
| 30+ | 273.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 132 A, Gate Charge: 213 nC, Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції RGWX5TS65DGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWX5TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGWX5TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A
IGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)