RGWX5TS65DGC13

RGWX5TS65DGC13 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.12 грн
10+501.74 грн
100+364.10 грн
600+324.51 грн
1200+302.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWX5TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 132A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGWX5TS65DGC13 за ціною від 464.18 грн до 748.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGWX5TS65DGC13 RGWX5TS65DGC13 Виробник : ROHM 4155195.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+748.96 грн
5+647.07 грн
10+545.17 грн
50+464.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.