RGWX5TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 642.39 грн |
| 10+ | 423.19 грн |
| 120+ | 306.31 грн |
| 600+ | 245.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWX5TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 348W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 132A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції RGWX5TS65DGC13 за ціною від 289.51 грн до 656.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWX5TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
 IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 590 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGWX5TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 348W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 132A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RGWX5TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 132A Power dissipation: 348W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 213nC Turn-on time: 64ns Turn-off switching energy: 1.68mJ Turn-on switching energy: 2.39mJ Technology: Field Stop; Trench |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RGWX5TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 656.72 грн |
| 10+ | 442.51 грн |
| 100+ | 308.57 грн |
| 600+ | 307.10 грн |
| 1200+ | 289.51 грн |
| RGWX5TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGWX5TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 410.63 грн |
| 30+ | 341.60 грн |
| 50+ | 334.15 грн |
| 60+ | 331.67 грн |
| 100+ | 295.28 грн |