Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGWX5TS65DHRC11
RGWX5TS65DHRC11

RGWX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+443.46 грн
10+366.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 348W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 132A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції RGWX5TS65DHRC11 за ціною від 208.48 грн до 547.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGWX5TS65DHRC11 RGWX5TS65DHRC11 ROHM rgwx5ts65dhr-e.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.51 грн
5+441.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 RGWX5TS65DHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.67 грн
10+369.16 грн
100+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 rgwx5ts65dhr-e.pdf
RGWX5TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+523.51 грн
5+441.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65DHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+547.67 грн
10+369.16 грн
100+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.