RGWX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Power - Max: 348 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 873.32 грн |
| 10+ | 584.06 грн |
| 450+ | 406.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RGWX5TS65EHRC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWX5TS65EHRC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RGWX5TS65EHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)