RGWX5TS65EHRC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGWX5TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+842.45 грн
10+582.72 грн
100+367.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWX5TS65EHRC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N, Power - Max: 348 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 132 A, Gate Charge: 213 nC, Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції RGWX5TS65EHRC11 за ціною від 407.63 грн до 875.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGWX5TS65EHRC11 RGWX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Power - Max: 348 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.27 грн
10+585.36 грн
450+407.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11 datasheet?p=RGWX5TS65EHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Power - Max: 348 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+875.27 грн
10+585.36 грн
450+407.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.