RH6G040BGTB1

RH6G040BGTB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RH6G040BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6G040BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RH6G040BGTB1 за ціною від 58.04 грн до 197.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1 Виробник : ROHM rh6g040bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RH6G040BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET NCH 40V 95A MOSFET
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.90 грн
10+131.04 грн
100+92.06 грн
500+76.22 грн
1000+68.44 грн
3000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1 Виробник : ROHM rh6g040bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.76 грн
10+120.20 грн
100+85.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RH6G040BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.54 грн
10+122.31 грн
100+83.68 грн
500+63.02 грн
1000+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.