Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH6G040BGTB1
RH6G040BGTB1

RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RH6G040BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET NCH 40V 95A MOSFET
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.31 грн
10+119.88 грн
100+84.22 грн
500+69.72 грн
1000+62.61 грн
3000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 59W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції RH6G040BGTB1 за ціною від 53.12 грн до 186.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RH6G040BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+104.03 грн
100+71.14 грн
500+53.58 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1 ROHM rh6g040bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.85 грн
10+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1 datasheet?p=RH6G040BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RH6G040BGTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.75 грн
10+104.03 грн
100+71.14 грн
500+53.58 грн
1000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1 rh6g040bgtb1-e.pdf
RH6G040BGTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.85 грн
10+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.