
RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 58.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RH6L040BGTB1 за ціною від 60.99 грн до 198.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RH6L040BGTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RH6L040BGTB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V |
на замовлення 19314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RH6L040BGTB1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RH6L040BGTB1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |