RH6L040BGTB1

RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor


rh6l040bgtb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RH6L040BGTB1 за ціною від 60.99 грн до 198.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RH6L040BGTB1 RH6L040BGTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rh6l040bgtb1-e.pdf MOSFET N CHAN 60V HSMT8
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.40 грн
10+129.13 грн
100+90.27 грн
250+82.93 грн
500+74.86 грн
1000+71.70 грн
3000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1 RH6L040BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rh6l040bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 19314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.42 грн
10+118.65 грн
100+83.67 грн
500+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1 RH6L040BGTB1 Виробник : ROHM rh6l040bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.41 грн
10+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1 RH6L040BGTB1 Виробник : ROHM rh6l040bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.