RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor


rh6l040bgtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+59.21 грн
6000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RH6L040BGTB1 за ціною від 57.37 грн до 199.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH6L040BGTB1 RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor rh6l040bgtb1-e.pdf MOSFET N CHAN 60V HSMT8
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+121.47 грн
100+84.91 грн
250+78.01 грн
500+70.41 грн
1000+67.45 грн
3000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1 RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor rh6l040bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 9288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.52 грн
100+85.73 грн
500+64.87 грн
1000+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1 rh6l040bgtb1-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N CHAN 60V HSMT8
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.00 грн
10+121.47 грн
100+84.91 грн
250+78.01 грн
500+70.41 грн
1000+67.45 грн
3000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1 rh6l040bgtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 9288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.59 грн
10+124.52 грн
100+85.73 грн
500+64.87 грн
1000+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.