Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH6N040BHTB1
RH6N040BHTB1

RH6N040BHTB1 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.21 грн
10+89.12 грн
100+69.89 грн
500+55.37 грн
1000+53.64 грн
3000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6N040BHTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції RH6N040BHTB1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH6N040BHTB1 RH6N040BHTB1 ROHM 4387125.pdf Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1 RH6N040BHTB1 ROHM 4387125.pdf Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1 4387125.pdf
RH6N040BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1 4387125.pdf
RH6N040BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.