Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH6P040BHTB1
RH6P040BHTB1

RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor

rh6p040bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RH6P040BHTB1 за ціною від 54.12 грн до 202.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor rh6p040bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.58 грн
10+112.23 грн
100+90.20 грн
500+69.55 грн
1000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor rh6p040bhtb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+202.21 грн
10+98.40 грн
100+76.79 грн
500+61.43 грн
1000+59.53 грн
3000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM rh6p040bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM rh6p040bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.58 грн
10+112.23 грн
100+90.20 грн
500+69.55 грн
1000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.21 грн
10+98.40 грн
100+76.79 грн
500+61.43 грн
1000+59.53 грн
3000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.