Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH6P040BHTB1
RH6P040BHTB1

RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor

rh6p040bhtb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RH6P040BHTB1 за ціною від 54.80 грн до 207.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor rh6p040bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.02 грн
10+115.21 грн
100+92.59 грн
500+71.39 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor rh6p040bhtb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+207.58 грн
10+101.01 грн
100+78.83 грн
500+63.06 грн
1000+61.11 грн
3000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM rh6p040bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM rh6p040bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.02 грн
10+115.21 грн
100+92.59 грн
500+71.39 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.58 грн
10+101.01 грн
100+78.83 грн
500+63.06 грн
1000+61.11 грн
3000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1 rh6p040bhtb1-e.pdf
RH6P040BHTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.