RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
MOSFET RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.86 грн |
| 10+ | 123.19 грн |
| 100+ | 86.46 грн |
| 250+ | 78.81 грн |
| 500+ | 71.85 грн |
| 1000+ | 64.88 грн |
| 3000+ | 56.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RH6R025BHTB1 за ціною від 130.47 грн до 190.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RH6R025BHTB1 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
RH6R025BHTB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |