Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH7G04BBKFRATCB
RH7G04BBKFRATCB

RH7G04BBKFRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RH7G04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH7G04BBKFRATCB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH7G04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3100 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції RH7G04BBKFRATCB за ціною від 47.63 грн до 186.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH7G04BBKFRATCB RH7G04BBKFRATCB Rohm Semiconductor datasheet?p=RH7G04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.13 грн
10+97.36 грн
100+66.27 грн
500+49.69 грн
1000+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB RH7G04BBKFRATCB ROHM Semiconductor datasheet?p=RH7G04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN8 P CHAN 30V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+186.40 грн
10+88.82 грн
100+69.66 грн
500+55.58 грн
1000+53.76 грн
3000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB RH7G04BBKFRATCB ROHM rh7g04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7G04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3100 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB RH7G04BBKFRATCB ROHM rh7g04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7G04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3100 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB datasheet?p=RH7G04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RH7G04BBKFRATCB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.13 грн
10+97.36 грн
100+66.27 грн
500+49.69 грн
1000+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB datasheet?p=RH7G04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RH7G04BBKFRATCB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN8 P CHAN 30V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.40 грн
10+88.82 грн
100+69.66 грн
500+55.58 грн
1000+53.76 грн
3000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB rh7g04bbkfratcb-e.pdf
RH7G04BBKFRATCB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7G04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3100 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBKFRATCB rh7g04bbkfratcb-e.pdf
RH7G04BBKFRATCB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7G04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3100 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.