Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH7L03BBKFRATCB
RH7L03BBKFRATCB

RH7L03BBKFRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RH7L03BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.13 грн
10+76.91 грн
100+51.55 грн
500+38.18 грн
1000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH7L03BBKFRATCB Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA, Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RH7L03BBKFRATCB за ціною від 31.05 грн до 139.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RH7L03BBKFRATCB RH7L03BBKFRATCB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RH7L03BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.48 грн
10+87.49 грн
100+50.54 грн
500+41.46 грн
1000+36.88 грн
3000+31.44 грн
6000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L03BBKFRATCB RH7L03BBKFRATCB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RH7L03BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.