RH7L04BBLFRATCB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 46.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RH7L04BBLFRATCB Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA, Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RH7L04BBLFRATCB за ціною від 49.66 грн до 191.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RH7L04BBLFRATCB | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RH7L04BBLFRATCB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RH7L04BBLFRATCB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.67 грн |
| 10+ | 100.40 грн |
| 100+ | 68.43 грн |
| 500+ | 51.39 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| RH7L04BBLFRATCB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.35 грн |
| 10+ | 92.58 грн |
| 100+ | 71.85 грн |
| 500+ | 57.48 грн |
| 1000+ | 55.90 грн |
| 3000+ | 49.66 грн |