RH7L04CBJFRATCB ROHM Semiconductor



Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN8 P CHAN 60V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.41 грн
10+80.38 грн
100+61.32 грн
500+49.51 грн
3000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH7L04CBJFRATCB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RH7L04CBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.041 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 62W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції RH7L04CBJFRATCB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH7L04CBJFRATCB RH7L04CBJFRATCB ROHM rh7l04cbjfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7L04CBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.041 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBJFRATCB RH7L04CBJFRATCB ROHM rh7l04cbjfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7L04CBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.041 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBJFRATCB rh7l04cbjfratcb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7L04CBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.041 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7L04CBJFRATCB rh7l04cbjfratcb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7L04CBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.041 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.