RH7L04CBLFRATCB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.42 грн |
| 10+ | 89.17 грн |
| 100+ | 60.40 грн |
| 500+ | 45.13 грн |
| 1000+ | 42.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RH7L04CBLFRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 62W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm.
Інші пропозиції RH7L04CBLFRATCB за ціною від 42.43 грн до 170.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RH7L04CBLFRATCB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN8 N CHAN 60V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RH7L04CBLFRATCB | ROHM |
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 62W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RH7L04CBLFRATCB | ROHM |
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RH7L04CBLFRATCB |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.28 грн |
| 10+ | 81.85 грн |
| 100+ | 63.42 грн |
| 500+ | 50.48 грн |
| 1000+ | 48.68 грн |
| 3000+ | 44.16 грн |
| 6000+ | 42.43 грн |
| RH7L04CBLFRATCB |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RH7L04CBLFRATCB |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - RH7L04CBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0106 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



