RH7P04BBKFRATCB ROHM Semiconductor



Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN8 N CHAN 100V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.98 грн
10+93.44 грн
100+73.13 грн
500+58.38 грн
1000+56.88 грн
3000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH7P04BBKFRATCB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm.

Інші пропозиції RH7P04BBKFRATCB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH7P04BBKFRATCB RH7P04BBKFRATCB ROHM rh7p04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7P04BBKFRATCB RH7P04BBKFRATCB ROHM rh7p04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RH7P04BBKFRATCB rh7p04bbkfratcb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7P04BBKFRATCB rh7p04bbkfratcb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.