Продукція > ROHM > RHP020N06FRAT100
RHP020N06FRAT100

RHP020N06FRAT100 ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.35 грн
200+39.87 грн
500+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RHP020N06FRAT100 ROHM

Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RHP020N06FRAT100 за ціною від 22.10 грн до 95.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RHP020N06FRAT100 RHP020N06FRAT100 Виробник : ROHM Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.61 грн
13+68.43 грн
50+51.35 грн
200+39.87 грн
500+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RHP020N06FRAT100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR RHP020N06FRAT100 SMD N channel transistors
на замовлення 670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.78 грн
51+23.38 грн
139+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RHP020N06FRAT100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.