Продукція > ROHM > RHP030N03FRAT100
RHP030N03FRAT100

RHP030N03FRAT100 ROHM


rhp030n03frat100-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RHP030N03FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.01 грн
500+28.38 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RHP030N03FRAT100 ROHM

Description: ROHM - RHP030N03FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RHP030N03FRAT100 за ціною від 24.11 грн до 69.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RHP030N03FRAT100 RHP030N03FRAT100 Виробник : ROHM rhp030n03frat100-e.pdf Description: ROHM - RHP030N03FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.93 грн
18+50.42 грн
100+37.01 грн
500+28.38 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.