RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1878+ | 6.48 грн |
| 1883+ | 6.47 грн |
| 2236+ | 5.44 грн |
| 2363+ | 4.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RHU002N06FRAT106 за ціною від 4.86 грн до 32.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RHU002N06FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RHU002N06FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs SOT323 N-CH 60V .2A |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Case: UMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2.2nC On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| RHU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Case: UMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2.2nC On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |