RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor


RHU003N03FRA_DS.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
31+10.17 грн
100+6.81 грн
500+4.89 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RHU003N03FRAT106

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RHU003N03FRAT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR RHU003N03FRA_DS.pdf RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHU003N03FRAT106 RHU003N03FRAT106 Виробник : Rohm Semiconductor RHU003N03FRA_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHU003N03FRAT106 RHU003N03FRAT106 Виробник : ROHM Semiconductor RHU003N03FRA_DS.pdf MOSFETs Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.