RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.34 грн |
| 21+ | 14.79 грн |
| 50+ | 10.64 грн |
| 100+ | 8.71 грн |
| 500+ | 6.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RHU003N03FRAT106
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
RHU003N03FRAT106 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
RHU003N03FRAT106 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RHU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3 On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: UMT3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RHU003N03FRAT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RHU003N03FRAT106 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
MOSFETs Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RHU003N03FRAT106 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: UMT3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: UMT3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.