
RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.88 грн |
31+ | 10.17 грн |
100+ | 6.81 грн |
500+ | 4.89 грн |
1000+ | 4.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RHU003N03FRAT106
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
RHU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
RHU003N03FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RHU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |