RJ1G08CGNTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 137.60 грн |
| 100+ | 131.45 грн |
| 250+ | 126.17 грн |
| 500+ | 117.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1G08CGNTLL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: LPTL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RJ1G08CGNTLL за ціною від 90.57 грн до 169.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJ1G08CGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 40V 80A LPTLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RJ1G08CGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
RJ1G08CGNTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package (LPTL), suitable for switching. |
товару немає в наявності |