Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RJ1G12BGNTLL
RJ1G12BGNTLL

RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, Supplier Device Package: LPTL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RJ1G12BGNTLL за ціною від 152.85 грн до 368.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJ1G12BGNTLL RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.04 грн
10+264.20 грн
100+213.71 грн
500+178.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor rj1g12bgn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+337.23 грн
45+322.74 грн
50+310.45 грн
100+289.20 грн
250+259.66 грн
500+242.49 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL RJ1G12BGNTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs RJ1G12BGN is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+368.59 грн
10+298.56 грн
25+250.11 грн
100+186.49 грн
500+155.04 грн
1000+152.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1G12BGNTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.04 грн
10+264.20 грн
100+213.71 грн
500+178.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL rj1g12bgn-e.pdf
RJ1G12BGNTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+337.23 грн
45+322.74 грн
50+310.45 грн
100+289.20 грн
250+259.66 грн
500+242.49 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1G12BGNTLL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs RJ1G12BGN is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+368.59 грн
10+298.56 грн
25+250.11 грн
100+186.49 грн
500+155.04 грн
1000+152.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.