Продукція > ROHM > RJ1L10BBGTL1
RJ1L10BBGTL1

RJ1L10BBGTL1 ROHM

rj1l10bbgtl1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1L10BBGTL1 ROHM

Description: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 192W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm.

Інші пропозиції RJ1L10BBGTL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJ1L10BBGTL1 RJ1L10BBGTL1 ROHM rj1l10bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L10BBGTL1 rj1l10bbgtl1-e.pdf
RJ1L10BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.