RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 218.82 грн |
| 66+ | 190.27 грн |
| 100+ | 181.82 грн |
| 500+ | 160.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 175nC, On-state resistance: 4.1mΩ, Power dissipation: 192W, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 240A.
Інші пропозиції RJ1L12BGNTLL за ціною від 174.93 грн до 606.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJ1L12BGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RJ1L12BGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RJ1L12BGNTLL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs LPTL N CHAN 60V |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RJ1L12BGNTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC On-state resistance: 4.1mΩ Power dissipation: 192W Drain current: 120A Pulsed drain current: 240A |
товару немає в наявності |