Продукція > ROHM > RJ1N04BBHTL1
RJ1N04BBHTL1

RJ1N04BBHTL1 ROHM

rj1n04bbhtl1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1N04BBHTL1 ROHM

Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RJ1N04BBHTL1 за ціною від 113.66 грн до 365.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJ1N04BBHTL1 RJ1N04BBHTL1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.23 грн
10+225.52 грн
100+159.29 грн
500+140.88 грн
800+120.86 грн
2400+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1N04BBHTL1 RJ1N04BBHTL1 Виробник : ROHM rj1n04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.45 грн
10+240.64 грн
100+180.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.