RJ1P04BBHTL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 122.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1P04BBHTL1 ROHM
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RJ1P04BBHTL1 за ціною від 107.69 грн до 326.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJ1P04BBHTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJ1P04BBHTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET MOSFET NCH 100V 80A |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJ1P04BBHTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RJ1P04BBHTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RJ1P04BBHTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
RJ1P04BBHTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |