Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RJ1P04BBHTL1
RJ1P04BBHTL1

RJ1P04BBHTL1 Rohm Semiconductor

rj1p04bbhtl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.45 грн
10+178.88 грн
100+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1P04BBHTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 89W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm.

Інші пропозиції RJ1P04BBHTL1 за ціною від 154.73 грн до 205.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 ROHM Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf MOSFETs TO263 100V 80A N-CH MOSFET
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 ROHM rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 ROHM rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.74 грн
88+161.35 грн
100+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.12 грн
86+165.53 грн
100+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 rj1p04bbhtl1-e.pdf
RJ1P04BBHTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO263 100V 80A N-CH MOSFET
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 rj1p04bbhtl1-e.pdf
RJ1P04BBHTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 rj1p04bbhtl1-e.pdf
RJ1P04BBHTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 rj1p04bbhtl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.74 грн
88+161.35 грн
100+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1 rj1p04bbhtl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+205.12 грн
86+165.53 грн
100+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.