RJ1P07CBHTL1

RJ1P07CBHTL1 Rohm Semiconductor


rj1p07cbhtl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1P07CBHTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RJ1P07CBHTL1 за ціною від 154.85 грн до 417.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJ1P07CBHTL1 RJ1P07CBHTL1 Виробник : ROHM rj1p07cbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+220.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P07CBHTL1 RJ1P07CBHTL1 Виробник : ROHM Semiconductor rj1p07cbhtl1-e.pdf MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.05 грн
10+295.40 грн
25+242.19 грн
100+207.70 грн
250+195.95 грн
500+182.74 грн
800+154.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P07CBHTL1 RJ1P07CBHTL1 Виробник : ROHM rj1p07cbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.83 грн
10+272.51 грн
100+220.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P07CBHTL1 RJ1P07CBHTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rj1p07cbhtl1-e.pdf Description: NCH 100V 70A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.59 грн
10+268.18 грн
100+192.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P07CBHTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rj1p07cbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+203.26 грн
63+195.51 грн
100+188.88 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P07CBHTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rj1p07cbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+254.51 грн
60+205.88 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.