RJ1P10BATTL1 ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 493.39 грн |
| 10+ | 256.24 грн |
| 100+ | 204.49 грн |
| 500+ | 167.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1P10BATTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 201W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm.
Інші пропозиції RJ1P10BATTL1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJ1P10BATTL1 | ROHM |
 Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 201W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJ1P10BATTL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 201W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 201W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)