Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RJ1P10BBHTL1
RJ1P10BBHTL1

RJ1P10BBHTL1 Rohm Semiconductor

rj1p10bbhtl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+221.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1P10BBHTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 189W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції RJ1P10BBHTL1 за ціною від 213.32 грн до 511.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJ1P10BBHTL1 RJ1P10BBHTL1 Rohm Semiconductor rj1p10bbhtl1-e.pdf Description: NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.45 грн
10+306.63 грн
100+231.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 RJ1P10BBHTL1 ROHM rj1p10bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.41 грн
10+325.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 RJ1P10BBHTL1 ROHM Semiconductor rj1p10bbhtl1-e.pdf MOSFETs TO263 100V 170A N-CH MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.43 грн
10+383.45 грн
25+318.94 грн
100+243.69 грн
800+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 RJ1P10BBHTL1 ROHM rj1p10bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 rj1p10bbhtl1-e.pdf
RJ1P10BBHTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.45 грн
10+306.63 грн
100+231.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 rj1p10bbhtl1-e.pdf
RJ1P10BBHTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+478.41 грн
10+325.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 rj1p10bbhtl1-e.pdf
RJ1P10BBHTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO263 100V 170A N-CH MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+511.43 грн
10+383.45 грн
25+318.94 грн
100+243.69 грн
800+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P10BBHTL1 rj1p10bbhtl1-e.pdf
RJ1P10BBHTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.