Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RJ1P12BBDTLL
RJ1P12BBDTLL

RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.35 грн
10+263.75 грн
100+220.15 грн
500+179.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJ1P12BBDTLL за ціною від 183.56 грн до 475.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 120A(Id), (6.0V Drive)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+475.24 грн
10+248.10 грн
100+197.46 грн
500+183.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL ROHM 2703478.pdf Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL ROHM 2703478.pdf Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor rj1p12bbdtll-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+404.05 грн
37+386.69 грн
50+371.95 грн
100+346.50 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor rj1p12bbdtll-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+404.05 грн
37+386.69 грн
50+371.95 грн
100+346.50 грн
250+311.10 грн
500+290.54 грн
1000+283.43 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1P12BBDTLL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 120A(Id), (6.0V Drive)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.24 грн
10+248.10 грн
100+197.46 грн
500+183.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL 2703478.pdf
RJ1P12BBDTLL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL 2703478.pdf
RJ1P12BBDTLL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL rj1p12bbdtll-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+404.05 грн
37+386.69 грн
50+371.95 грн
100+346.50 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL rj1p12bbdtll-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+404.05 грн
37+386.69 грн
50+371.95 грн
100+346.50 грн
250+311.10 грн
500+290.54 грн
1000+283.43 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.