Продукція > ROHM > RJ1R10BBHTL1
RJ1R10BBHTL1

RJ1R10BBHTL1 ROHM


rj1r10bbhtl1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+381.28 грн
100+329.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJ1R10BBHTL1 ROHM

Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції RJ1R10BBHTL1 за ціною від 241.30 грн до 538.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJ1R10BBHTL1 RJ1R10BBHTL1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET NCH 150V 105A
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.83 грн
10+430.63 грн
25+339.88 грн
100+311.93 грн
250+293.54 грн
500+284.71 грн
800+241.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1R10BBHTL1 RJ1R10BBHTL1 Виробник : ROHM rj1r10bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+538.09 грн
10+381.28 грн
100+329.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.