RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 123.26 грн |
| 113+ | 109.69 грн |
| 117+ | 105.50 грн |
| 500+ | 95.29 грн |
| 1000+ | 84.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RJ1U330AAFRGTL за ціною від 134.97 грн до 336.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJ1U330AAFRGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 250V Vds 33A 0.077Rds(on) 80Qg |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJ1U330AAFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJ1U330AAFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |