Продукція > RENESAS > RJH60D1DPP-E0#T2

RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas


rjh60d1dpp-e0-data-sheet Виробник: Renesas
Description: RJH60D1 - INSULATED GATE BIPOLAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/42ns
Switching Energy: 100µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 13 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
198+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 198
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas

Description: RJH60D1 - INSULATED GATE BIPOLAR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/42ns, Switching Energy: 100µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 300V, 10A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 13 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції RJH60D1DPP-E0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJH60D1DPP-E0#T2 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0893ej0100_rjh60d1dpp_DST_20121101-1999234.pdf IGBT Transistors IGBT 600V 10A
товар відсутній