Технічний опис RJH60D7DPM-00#T1 Renesas
Description: IGBT TRENCH 600V 90A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/190ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 300V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 130 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 55 W.
Інші пропозиції RJH60D7DPM-00#T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJH60D7DPM-00#T1 | Renesas |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 55W 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJH60D7DPM-00#T1 |
|
Виробник: Renesas
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 55W 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 55W 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)