RJH65T04BDPMA0#T2F Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Packaging: Tube
Package / Case: SC-94
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFP
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/125ns
Switching Energy: 360µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 65 W
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.54 грн |
| 10+ | 241.65 грн |
| 100+ | 209.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJH65T04BDPMA0#T2F Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP, Packaging: Tube, Package / Case: SC-94, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFP, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/125ns, Switching Energy: 360µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 74 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції RJH65T04BDPMA0#T2F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RJH65T04BDPMA0#T2F | Виробник : Renesas Electronics |
IGBTs POWER TRANSISTOR 650V IGBT FRD 30A TO-3P |
товару немає в наявності |