Продукція > ROHM > RJK005N03FRAT146
RJK005N03FRAT146

RJK005N03FRAT146 ROHM

ROHM-S-A0002832481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.11 грн
500+10.02 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK005N03FRAT146 ROHM

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJK005N03FRAT146 за ціною від 4.14 грн до 29.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 ROHM ROHM-S-A0002832481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.67 грн
46+17.64 грн
100+11.11 грн
500+10.02 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 ROHM Semiconductor rjk005n03fra-e.pdf MOSFETs Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
18+18.66 грн
100+7.66 грн
1000+5.94 грн
3000+5.11 грн
9000+4.35 грн
24000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 Rohm Semiconductor rjk005n03fra-e.pdf Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 Rohm Semiconductor rjk005n03fra-e.pdf Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 ROHM-S-A0002832481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RJK005N03FRAT146
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+28.67 грн
46+17.64 грн
100+11.11 грн
500+10.02 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 rjk005n03fra-e.pdf
RJK005N03FRAT146
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.96 грн
18+18.66 грн
100+7.66 грн
1000+5.94 грн
3000+5.11 грн
9000+4.35 грн
24000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 rjk005n03fra-e.pdf
RJK005N03FRAT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 rjk005n03fra-e.pdf
RJK005N03FRAT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.