Продукція > ROHM > RJK005N03FRAT146
RJK005N03FRAT146

RJK005N03FRAT146 ROHM

rjk005n03fra-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.36 грн
500+11.15 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK005N03FRAT146 ROHM

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJK005N03FRAT146 за ціною від 4.79 грн до 34.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 Виробник : ROHM rjk005n03fra-e.pdf Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.58 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+31.89 грн
46+19.62 грн
100+12.36 грн
500+11.15 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 Виробник : ROHM Semiconductor rjk005n03fra-e.pdf MOSFETs Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.66 грн
18+21.58 грн
100+8.86 грн
1000+6.87 грн
3000+5.91 грн
9000+5.03 грн
24000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 Виробник : Rohm Semiconductor rjk005n03fra-e.pdf Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK005N03FRAT146 RJK005N03FRAT146 Виробник : Rohm Semiconductor rjk005n03fra-e.pdf Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.