Продукція > RENESAS > RJK0305DPB-WS#J0

RJK0305DPB-WS#J0 Renesas


Виробник: Renesas
WORKING SAMPLES
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0305DPB-WS#J0 Renesas

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK0305DPB-WS#J0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK0305DPB-WS#J0 RJK0305DPB-WS#J0 Виробник : Renesas Electronics Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
товар відсутній
RJK0305DPB-WS#J0 Виробник : Renesas Electronics Renesas Electronics
товар відсутній