RJK0328DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.32 грн |
| 10+ | 161.48 грн |
| 100+ | 117.62 грн |
| 500+ | 92.24 грн |
| 1000+ | 89.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0328DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: LFPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RJK0328DPB-01#J0
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK0328DPB-01#J0 | Renesas Electronics |
MOSFETs PowerMOSFET |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJK0328DPB-01#J0 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs PowerMOSFET
MOSFETs PowerMOSFET
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)