Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RJK0328DPB-01#J0
RJK0328DPB-01#J0

RJK0328DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation

rjk0328dpb-01-datasheet?language=en Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.28 грн
10+165.44 грн
100+120.50 грн
500+94.50 грн
1000+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0328DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK0328DPB-01#J0 за ціною від 96.88 грн до 267.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0328DPB-01#J0 RJK0328DPB-01#J0 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0264ej0500_rjk0328dpb_DST_20110301-2930643.pdf MOSFETs PowerMOSFET
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.14 грн
10+200.87 грн
25+168.80 грн
100+128.43 грн
500+104.95 грн
1000+97.61 грн
2500+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01#J0 Виробник : Renesas rjk0328dpb-01-datasheet?language=en sc100-5/POWER MOSFETS FOR GENERALSWITCHING RJK0328
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0328DPB-01#J0 RJK0328DPB-01#J0 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0328dpb-01-datasheet?language=en Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.