Продукція > RENESAS > RJK0330DPB-01#J0

RJK0330DPB-01#J0 RENESAS


rjk0330dpb-01-datasheet?language=en
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+195.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0330DPB-01#J0 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 55W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції RJK0330DPB-01#J0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJK0330DPB-01#J0 RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics REN_r07ds0266ej0500_rjk0330dpb_DST_20110301-2308847.pdf MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0 RJK0330DPB-01#J0 RENESAS rjk0330dpb-01-datasheet?language=en Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0 REN_r07ds0266ej0500_rjk0330dpb_DST_20110301-2308847.pdf
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0330DPB-01#J0 rjk0330dpb-01-datasheet?language=en
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.