RJK0332DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0332DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 45W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.
Інші пропозиції RJK0332DPB-01#J0 за ціною від 153.86 грн до 153.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJK0332DPB-01#J0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
RJK0332DPB-01#J0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
RJK0332DPB-01#J0 | Renesas Electronics |
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
RJK0332DPB-01#J0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RJK0332DPB-01#J0 |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.86 грн |
| RJK0332DPB-01#J0 |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RJK0332DPB-01#J0 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RJK0332DPB-01#J0 |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)