RJK0346DPA-01#J0B Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 78.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0346DPA-01#J0B Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Supplier Device Package: 8-WPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK0346DPA-01#J0B за ціною від 80.55 грн до 215.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK0346DPA-01#J0B | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET JET MOSFET 30V WPAK Pb/Halogen Free |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJK0346DPA-01#J0B | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|