RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 59.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.
Інші пропозиції RJK0391DPA-00#J5A за ціною від 54.78 грн до 194.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJK0391DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RJK0391DPA-00#J5A | Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6 |
на замовлення 4944 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RJK0391DPA-00#J5A | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RJK0391DPA-00#J5A | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJK0391DPA-00#J5A |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.29 грн |
| RJK0391DPA-00#J5A |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6
MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.53 грн |
| 10+ | 133.72 грн |
| 100+ | 83.37 грн |
| 500+ | 69.84 грн |
| 1000+ | 60.26 грн |
| 3000+ | 54.78 грн |
| RJK0391DPA-00#J5A |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RJK0391DPA-00#J5A |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)