RJK0391DPA-00#J5A

RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation


rjk0391dpa-datasheet?language=en
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: WPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RJK0391DPA-00#J5A за ціною від 52.34 грн до 185.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJK0391DPA-00#J5A RJK0391DPA-00#J5A Виробник : RENESAS RNCCS13079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.43 грн
10+105.17 грн
100+102.73 грн
500+92.36 грн
1000+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0391DPA-00#J5A RJK0391DPA-00#J5A Виробник : RENESAS RNCCS13079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.43 грн
10+105.17 грн
100+102.73 грн
500+92.36 грн
1000+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0391DPA-00#J5A RJK0391DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk0391dpa-datasheet?language=en Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0391DPA-00#J5A RJK0391DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics rjk0391dpa-datasheet?language=en MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.89 грн
10+127.78 грн
100+79.67 грн
500+66.74 грн
1000+57.58 грн
3000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.