RJK03E1DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
на замовлення 79482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 275+ | 82.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK03E1DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK03E1DNS-00#J5 за ціною від 90.52 грн до 100.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK03E1DNS-00#J5 | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin HWSON T/R |
на замовлення 79482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJK03E1DNS-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |